فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها




گروه تخصصی











متن کامل


اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2021
  • دوره: 

    12
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    305-309
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    52
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

The devices with additional gates like Fin Field effect transistor (FinFET) provide Higher control on subthreshold parameters and are favorable for Ultra large-scale integration. Also, these structures provide High control on current through the channel and with minimum leakage. In this paper we designed a FinFET with High-K gate Dielectric material i. e Hafnium oxide as gate oxide. A comparison of similar sized transistor with Air and Silicon dioxide as gate material is performed. The comparison is mainly in terms of performance parameters like transconductance, subthreshold slope, and drain current characteristics. There is an increase in ON current on using a High-K Dielectric material and subsequently an improvement in other parameters like subthreshold slope, transconductance and intrinsic gain.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 52

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2020
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    215-221
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    62
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

This work investigates the channel thickness dependency of High-k gate Dielectric-based complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) inverter circuit built using a conventional double-gate metal gate oxide semiconductor field-effect transistor (DG-MOSFET). It is espied that the use of High-k Dielectric as a gate oxide in n/p DG-MOSFET based CMOS inverter results in a High noise margin as well as gain. It is also found that delay performance of the inverter circuit also gets upgraded slightly by using High-k gate Dielectric materials. Further, it is observed that the scaling down of channel thickness (TSi) improves the noise margin (NM), and gain (A) at the cost of propagation delay (Pd). Moreover, it is also observed that the changes in noise margin (Δ, NM = NM(K=40) –,NM(K=3. 9)), propagation delay (Δ, Pd = Pd (K=40) –,Pd (K=3. 9)), and gain (Δ, A = A(K=40) –,A(K=3. 9)) gets hinder at lower TSi. Therefore, it is apposite to look at lower channel thickness (~6 nm) while designing High-k gate Dielectric-based DG-MOSFET for CMOS inverter cell.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 62

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

GHANADZADEH A. | GHANADZADEH H. | ALINEJAD M.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2012
  • دوره: 

    9
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    22-30
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    304
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

Dielectric constant measurements were made on binary mixtures of ethyl acetate (EA) and butyl acetate (BA) with the two amyl alcohols (iso-amyl alcohol (IAA) and tert-butyl alcohol (TBA)) for various concentrations at T = 298.2 K and in a frequency of 100 kHz. In order to obtain valuable information about heterogeneous interaction (interactions between the unlike molecules), the Kirkwood correlation factor, the Bruggeman Dielectric factor and the excess permittivity were calculated.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 304

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1389
  • دوره: 

    10
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    87-99
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1396
  • دانلود: 

    514
چکیده: 

اگرچه در دو دهه اخیر مفاهیم تخلیه های حایل دی الکتریک (DBDs) به خوبی در کاربردهایی نظیر تولید ازون، کنترل آلودگی هوا، صفحات نمایش پلاسما و کنترل فرایندهای شیمیایی، زیستی و پزشکی توسعه داده شده، اما استفاده از آن در فن فشار قوی الکتریکی برای بهبود عملکرد عایقی سیستم (به عنوان جایگزین سیستمهای با عایقی گاز پرفشار SF6) هنوز کاربردی نشده است. در این روش با ترکیب عایق جامد (به عنوان پوشش دی الکتریک بر روی الکترودهای فلزی) و هوا و با توجه به تولید بارهای فضایی بر اثر تخلیه الکتریکی غیر حرارتی و نشست آن بر روی سطوح پوشش، استقامت عایقی مجموعه به طور قابل توجهی افزایش می یابد. در این مقاله افزایش استقامت عایقی سیستم در صورت استفاده از DBD و با افزایش نشست بار سطحی بر روی پوشش دی الکتریک در میدان الکتریکی یکنواخت، نخست به صورت استاتیکی مدل سازی شده است؛ یعنی از دینامیک تشکیل بارهای فضایی و نشستن آنها بر روی پوشش حایل دی الکتریک صرفنظر شده و مفاهیم  DBDبا در نظر گرفتن مقادیر مختلف بار سطحی روی پوشش حایل دی الکتریک ارزیابی شده است. همچنین تاثیر پارامترهای مختلفی مانند ضریب نفوذپذیری ماده دی الکتریک، ضخامت آن و طول فاصله هوایی بر میزان افزایش استقامت عایقی مجموعه عایق بررسی شده است. سپس بار فضایی حاصل محاسبه شده و با توجه به آن میدان در فاصله هوایی و پوشش دی الکتریک اصلاح شده است. همچنین پوششهای دی الکتریک به صورت غیر عایق و با هدایت الکتریکی در نظر گرفته شده و کاهش بار سطحی حاصل از این هدایت الکتریکی و اثر آن مدل سازی شده است. همچنین تغییرات شدت میدان الکتریکی در پوشش دی الکتریک علاوه بر فاصله هوایی مدل سازی شده است. این مدل دینامیکی به شکل فایل  mدر MATLAB برنامه نویسی شده و از آن برای شبیه سازی رفتار دینامیکی DBD در اعمال سه نوع ولتاژ DC، AC و ضربه صاعقه استفاده شده است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1396

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 514 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسنده: 

GHANADZADEH GILANI A. | RAFIEE F.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2013
  • دوره: 

    16
تعامل: 
  • بازدید: 

    143
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

RELATIVE PERMITTIVITY MEASUREMENTS WERE MADE ON BINARY MIXTURE OF (1-HEXANOL+2-BUTANONE) FOR VARIOUS CONCENTRATIONS AT T=298.2K.THE STATIC Dielectric CONSTANT (RELATIVE PERMITTIVITY) OF MATERIALS IS AN INTRINSIC PROPERTY, WHICH CAN PLAY AN IMPORTANT ROLE IN THE SOLUTEION PROPERTIES. MEASUREMENT OF Dielectric CONSTANT HAS BEEN SHOWN TO BE A USEFUL TECHNIQUE IN CHARACTERIZING MOLECULAR STRUCTURE, SOLUTE–SOLUTE, AND SOLVENT–SOLUTE INTERACTIONS IN SOLUTION. SIGNIFICANT INVESTIGATION HAS BEEN CARRIED OUT IN RECENT YEARS ON THE Dielectric MEASUREMENTS OF POLAR SOLUTIONS WITH VARIOUS MOLECULAR STRUCTURE AND DIFFERENT FUNCTIONAL GROUPS. Dielectric STUDIES ON THE BINARY MIXTURES ARE IMPORTANT FOR UNDERSTANDING THE INTERMOLECULAR INTERACTIONS IN THE MIXTURE DUE TO THE DIPOLE–DIPOLE INTERACTIONS AND HYDROGEN BONDING. IN THIS WORK, THE KIRKWOOD CORRELATION FACTOR, THE BRUGGEMAN Dielectric FACTOR AND THE EXCESS PERMITTIVITY WERE CALCULATED. THE ALIPHATICALCOHOLS ARE EXCELLENT H-BOND DONORS/ACCEPTORS, AND THEREFORE, ARE STRONGLY ASSOCIATED THROUGH INTERMOLECULAR H-BONDING. ON THE OTHER HAND, KETONES ARE AN IMPORTANT CLASS OF INDUSTRIAL CHEMICALS WITH MANY SCIENTIFIC AND INDUSTRIAL APPLICATIONS.THESE COMPOUNDS WITH A CARBONYL GROUP (C=O) ARE STRONGLY HYDROGEN-BOND ACCEPTORS.THE LOWER MOLAR MASS ALIPHATIC KETONES ARE STABLE, COLOURLESS LIQUIDS AND GENERALLY HAVE A PLEASANT, SLIGHTLY AROMATIC ODOUR. ONE OF THE MOST IMPORTANT ALIPHATIC KETONES IS 2-BUTANONE (NAMELY METHYL ETHYL KETONE, MEK), WHICH IS THE SECOND MOST IMPORTANT COMMERCIALLY PRODUCED KETONE AFTER ACETONE.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 143

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2016
  • دوره: 

    18
تعامل: 
  • بازدید: 

    125
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

THE STATIC Dielectric CONSTANT (RELATIVE PERMITTIVITY) OF MATERIALS IS AN INTRINSIC PROPERTY, WHICH CAN PLAY AN IMPORTANT ROLE IN THE SOLUTION PROPERTIES [1,2] ...

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 125

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2004
  • دوره: 

    19
تعامل: 
  • بازدید: 

    159
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

ZINC OXIDE VARISTORS ARE SMART ELECTRO CERAMIC DEVICES, WHOSE PRIMARY FUNCTION IS TO PROTECT AN ELECTRICAL SYSTEM BY SENSING AND LIMITING TRANSIENT SURGES AND TO DO SO REPEATEDLY WITHOUT BEING DESTROYED. THESE VARISTORS ARE STRONGLY NON-LINEAR RESISTORS, USED AS SURGE ARRESTERS IN POWER TRANSMISSION AND FOR THE PROTECTION OF ELECTRONIC DEVICES. METAL OXIDE VARISTORS HAVE A Dielectric COATING ON LATERAL SURFACE IN THE FORM OF THERMO SET, GLAZE OR OTHER CERAMIC COATINGS. IN CONVENTIONAL LEAD OXIDE BASE GLAZES THAT ARE APPLIED ON VARISTOR BODY AT TEMPERATURE BETWEEN 500-700OC, IN SPITE OF LOW SINTERING TEMPERATURE, TWO DISCRETE THERMAL CYCLES ARE NEEDED, ONE FOR SINTERING OF ZNO-BASED BODY AND THE OTHER FOR BAKING OF THE LATERAL COATING. ON THE OTHER HAND, SINCE THE LEAD OXIDE BASE COMPOUNDS ARE TOXIC AND ALSO BECAUSE OF FRITTING PROBLEMS, COMPLETE OR PARTIAL REPLACEMENT OF LEAD OXIDE FROM COATING HAVE EVER BEEN INTENDED. IN THIS PAPER, High TEMPERATURE COATINGS ON THE BASIS OF SIO2 AND FE2O3 ARE PRESENTED. APPLICATION OF THESE COATINGS ON MOLDED MATERIAL, PROVIDES THE POSSIBILITY OF SIMULTANEOUS BAKING AND PROCESS OF PRODUCT THAT LEADS IN TIME AND ENERGY SAVING. ADDITION OF BI2O3, B2O3 AND AL2O3 IN THE COMPOSITION OF THE COATING, AND ITS INFLUENCE ON SOME PHYSICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES, ARE DISCUSSED IN THIS PAPER THAT SHOWS THE IMPROVEMENT OF THESE PROPERTIES ESPECIALLY, Dielectric STRENGTH IN ALL OF THE PREPARED COATINGS. PHASE AND MICROSTRUCTURE INVESTIGATION OF THE COATINGS WAS DONE BY X-RAY DIFFRACTOMETERY AND SCANNING ELECTRON MICROSCOPY.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 159

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2016
  • دوره: 

    18
تعامل: 
  • بازدید: 

    140
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

RELATIVE PERMITTIVITY OR STATIC Dielectric CONSTANT IS A MACROSCOPIC AND INTRINSIC PROPERTY THAT PROVIDES IMPORTANT INFORMATION ABOUT MOLECULAR ASSOCIATIONS AND GEOMETRICAL STRUCTURE OF MOLECULES [1,2] ...

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 140

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0
عنوان: 
نویسندگان: 

نشریه: 

نانوساختارها

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    0
  • دوره: 

    10
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    -
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    20
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 20

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    12
  • شماره: 

    1 (پیاپی 28)
  • صفحات: 

    31-46
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    91
  • دانلود: 

    59
چکیده: 

هدف این مقاله بهینه سازی آینه های تمام بازتاب در محدوده طول موج فروسرخ می باشد. آینه های فروسرخ علاوه بر اینکه یکی از اجزای اصلی لیزر گازکربنیک می باشد، کاربرد گسترده ای در مسیر نوری قابل انعطاف یا هدایت پرتو دارند. در ساختار این آینه های تمام بازتاب فروسرخ از فلز، دی الکتریک و شبه فلز به صورت (شیشه/ فلز/ دی الکتریک/ شبه فلز/ هوا) استفاده می شود. به طور جداگانه طراحی لایه-نشانی آینه تمام بازتاب برای هر یک از لایه های فلزی، دی الکتریک و شبه فلز با مواد مختلف بررسی شد. در هر مرحله بهترین نوع لایه بر اساس بالاترین درصد بازتاب انتخاب شد. این لایه ها نقره (با بازتاب 87/99 درصد در ساختار شیشه/ فلز/ هوا)، فلوراید منیزیم (با بازتاب 31/98 درصد در ساختار شیشه/ نقره/ فلورید منیزیم/ هوا) و ژرمانیم (با بازتاب 88/99 درصد در ساختار شیشه/ نقره/ فلورید منیزیم/ ژرمانیوم/ هوا) به ترتیب برای فلز، دی الکتریک و شبه فلز هستند. سپس با تغییر ضخامت هر یک از لایه ها، ضخامت بهینه برای نقره، فلوراید منیزیم و ژرمانیم به ترتیب 100، 550 و 200 نانومتر تعیین شد. با بررسی تاثیر زاویه تابش، ملاحظه گردید که متوسط بیشترین درصد بازتاب مربوط به زاویه صفر و 88/99 درصد می باشد. طراحی های لایه نشانی توسط نرم افزار لایه نشانی مک لئود صورت گرفت.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 91

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 59 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button